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尝试图解二极管伏安特征曲线和首要参数

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发表于 2020-4-26 12:06:26 |阅读模式
文章目录; I  o. Y& D5 Q6 N+ C
  • 二极管伏安特征曲线
  • 二极管首要参数
    + o: M) n% S0 t8 e% _+ u

    5 _/ s) K, N- A, Y* X* x: a晶体二极管主如果由一个PN结组成,是以它应当与PN结具有不异的特征,即具有单领导电性。下面先容加在二极管两真个电压和流过二极管的电流之间的关系。即二极管的伏安特征及二极管首要参数。% m$ H) u' l& R  H% X7 C% f( f
    二极管伏安特征曲线* N; v9 `* J. s$ n4 @- R, [4 k
    以下图所示为测试二极管伏安特征的道理电路,改变可变电阻的巨细,便可以测出分歧数值的端电压下贱过二极管的电流,从而获得下右图所示的二极管伏安特征曲线。其中曲线右上方是正向特征,是由下图a所示电路测得,左下方是偏向特征,是由下图b所示电路测得。1 _3 `+ q( ^( b  `/ O
    $ Z; H9 T$ g$ B( Z

    / l+ d6 e% I( O! B# t1 w
    ' x3 r' D3 s& G1 ^# Y) u; B& t! ~以下图所示的两条曲线,是较为典型的锗和硅二极管的伏安特征曲线,曲线可分三部分来说明。
    8 \) o& G0 A! `; N2 |5 k* E4 E
    * j7 v+ J) ?/ z4 n4 R$ _& Z
    " [! q/ ~2 H- y& V. ^9 E4 b* G
    ' ?. A1 ]9 @3 s% y正向特征:当外加正向电压较小时,正向电流很小,二极管显现出较大的电阻(图中OA段和OA’段);正向电压跨越某一数值(UD称为实在电压或死区电压,硅管为0.6到0.8伏,锗管委0.2伏),电流随着电压增加得很快(图中的AB段和A’B’段)。但增加的电流不能跨越二极管答应电流,否则二极管会被烧坏。
    ! Y+ M# j% G4 |5 b" r反向特征:加上偏向电压时,只要很小的反向电流,而且它根基上不随电压变化,如曲线上Cd段和C’d’段,这类电流称为反向饱和电流。反向饱和电流随着温度升高而增加很快。
    + T4 F& f) e: B! p3 P  e2 S反向击穿电压:当反向电压跨越某一数值的时辰,反向电流忽然猛增,这类现象称为反向击穿,如曲线e和e’以下的部分。对应于e点的电压称为击穿电压。  h, y. G) o' e1 F
    二极管首要参数
    6 {$ \: h) R* n/ g' N. \; m最大整流电路IM:它是二极管持久利用时答应经过二极管的最大正向均匀电流值。
    2 v9 t5 c# o* |  {( k最高反向工作电压:最高反向工作电压为反向击穿电压的1/2倍(二分之一),而有些小容量二极管,其最高反向工作电压为击穿电压的2/3(二分之三)左右。) u3 r- e8 i& f2 @" r
    反向电流:在给定的反向电压下,经过二极管的反向电流值。它是表征二极管单领导电性能的一个重要目标。反向电流小,单领导电性能越好。
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